中国国际物联网博览会将于7月在厦门举办

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此外，国际小狗的消化系统还可能因为缺乏营养而受到损害Se层不仅可以防止在InSe表面直接蒸镀金属导致的破坏，物联网博还可以对InSe进行封装以提高器件的稳定性，物联网博超薄层Se的存在能够有效的避免界面的费米钉扎效应。

将于图1.InSe-Se异质结场效应晶体管的电学特性和电学稳定性。相关工作被MaterialsViewsChina和材料人等学术媒体多次报道，门举被领域权威期刊Chem.Rev.Adv.Func.Mater.Research(AAAS)等多次引用报道，受到同行的广泛关注。（a）异质结晶体管和InSe晶体管中InSe厚度对场效应迁移率的影响，中国厦（b）异质结晶体管中Se的厚度对场效应迁移率的影响，中国厦（c）不同Se的厚度下异质结晶体管的转移特性，VDS=1V,(d)顶栅结构30nm-InSeFET线性区（－0.5-0.5V）的输出特性曲线，(e)5nm-Se异质结晶体管线性区（－0.5-0.5V）的输出特性曲线，(f)10nm-Se异质结晶体管线性区（－0.5-0.5V）的输出特性曲线，(g)顶栅结构30nm-InSeFET饱和区输出特性曲线，(h)5nm-Se异质结晶体管饱和区输出特性曲线，(i)10nm-Se异质结晶体管饱和区输出特性曲线，(j)InSe晶体管和具有不同Se厚度的异质结晶体管的gD-VDS特性，(k)饱和区晶体管的沟道电阻，(l)异质结晶体管的的转移特性曲线，(m)异质结晶体管的30次回滞曲线测试，(n)场效应迁移率随着常温保存时间的退化。

研究组提出的InSe-Se异质结策略是一种很有价值的方式，国际可以很容易的扩展到其他的低维半导体，国际为构建高性能的二维电子和光电子器件开辟了新的道路。我们利用球差校正STEM为异质结的构建提供了直接的证据，物联网博CVD方法生长的二维Se与二维InSe之间形成的是范德化结。

新型范德华异质结器件具有高达2500cm2/V·s的超高场效应电子迁移率，将于mA量级的开态电流，低至-0.7V的阈值电压和1.4V的回滞。

近两年，门举韩琳教授及其研究团队在新型电子材料器件、生物医学及其前沿交叉应用领域取得一系列进展。近期代表性成果：中国厦1、中国厦Angew：冷壁化学气相沉积方法用于石墨烯的超净生长北京大学刘忠范院士，彭海琳教授和曼彻斯特大学李林教授展示了一种在CW-CVD系统中大面积生长超洁净石墨烯薄膜的简便方法，该方法制备的石墨烯薄膜具有改善的光学和电学性质。

国际2015年获何梁何利基金科学与技术进步奖。物联网博2009年当选中国科学院院士。

将于2001年获得国家杰出青年科学基金资助。这项工作表明，门举堆积方式对晶体材料的激发态和PL各向异性具有重要影响，表明多晶型纳米结构在多功能纳米光子器件中的巨大应用潜力。